2SA1943-O ? Transistor PNP di potenza 230V / 15A contenitore TO-
CODICE MEPA:
0126293997
BRAND:
Futuranet
CODICE PRODUTTORE:
1100-2SA1943-O
CODICE SKU:
FE-1100-2SA1943-O
8,64
€
(escl. IVA)
Descrizione completa
Il 2SA1943-O è un transistor PNP al silicio a giunzione diffusa, progettato per garantire elevate prestazioni in applicazioni di potenza. Con una tensione di rottura VCEO di 230 V, una corrente di collettore fino a 15 A e una potenza dissipabile di 150 W, si adatta perfettamente a circuiti di amplificazione audio, alimentatori lineari e applicazioni generiche ad alta corrente.
La classe di guadagno "O", accuratamente selezionata, assicura stabilità e uniformità tra i lotti di produzione, rendendo questo transistor ideale per l’uso in configurazioni push-pull in abbinamento al complementare 2SC5200-O.
Offre una bassa tensione di saturazione (0,5 V tipica), una frequenza di transizione di 30 MHz e una capacità di uscita ridotta, favorendo una risposta veloce e un’elevata efficienza. I
Il contenitore TO-264 con ampia superficie di dissipazione lo rende adatto anche a condizioni di carico termico intenso.
Caratteristiche principali
Tipo: Transistor PNP al silicio a giunzione diffusa
Tensione collettore-emettitore (VCEO): 230 V min
Corrente di collettore (IC): 15 A
Potenza dissipabile (Pc): 150 W (Tc = 25°C)
Tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)): 0,5 V tipica (IC = -8 A, IB = -0,8 A)
Frequenza di transizione (fT): 30 MHz tipica (VCE = -5 V, IC = -1 A)
Corrente di interdizione collettore (ICBO): 5 μA max (VCB = -230 V, IE = 0 A, Ta = 25°C)
Corrente di interdizione emettitore (IEBO): 5 μA max (VEB = -5 V, IC = 0 A, Ta = 25°C)
Capacità di uscita collettore (Cob): 200 pF (VCB = -10 V, IE = 0, f = 1 MHz)
Temperatura di giunzione (Tj): 150 °C
Contenitore: TO-264
Classe di guadagno: "O"
La classe di guadagno "O", accuratamente selezionata, assicura stabilità e uniformità tra i lotti di produzione, rendendo questo transistor ideale per l’uso in configurazioni push-pull in abbinamento al complementare 2SC5200-O.
Offre una bassa tensione di saturazione (0,5 V tipica), una frequenza di transizione di 30 MHz e una capacità di uscita ridotta, favorendo una risposta veloce e un’elevata efficienza. I
Il contenitore TO-264 con ampia superficie di dissipazione lo rende adatto anche a condizioni di carico termico intenso.
Caratteristiche principali
Tipo: Transistor PNP al silicio a giunzione diffusa
Tensione collettore-emettitore (VCEO): 230 V min
Corrente di collettore (IC): 15 A
Potenza dissipabile (Pc): 150 W (Tc = 25°C)
Tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)): 0,5 V tipica (IC = -8 A, IB = -0,8 A)
Frequenza di transizione (fT): 30 MHz tipica (VCE = -5 V, IC = -1 A)
Corrente di interdizione collettore (ICBO): 5 μA max (VCB = -230 V, IE = 0 A, Ta = 25°C)
Corrente di interdizione emettitore (IEBO): 5 μA max (VEB = -5 V, IC = 0 A, Ta = 25°C)
Capacità di uscita collettore (Cob): 200 pF (VCB = -10 V, IE = 0, f = 1 MHz)
Temperatura di giunzione (Tj): 150 °C
Contenitore: TO-264
Classe di guadagno: "O"
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