2SC5200-O - Transistor NPN di potenza 230V / 15A contenitore TO-
CODICE MEPA:
0126293998
BRAND:
Futuranet
CODICE PRODUTTORE:
1100-2SC5200-O
CODICE SKU:
FE-1100-2SC5200-O
8,64
€
(escl. IVA)
Descrizione completa
Il 2SC5200-O è un transistor NPN al silicio a giunzione diffusa ad alte prestazioni, progettato per applicazioni in cui sono richieste elevata tensione, corrente e stabilità termica. Grazie a una tensione di rottura VCEO di 230 V, una corrente di collettore fino a 15 A e una potenza dissipabile di 150 W, è adatto per impieghi ad alta potenza, come amplificatori audio hi-fi, alimentatori e circuiti di potenza generali.
La selezione classe "O" garantisce un guadagno coerente, ideale anche in configurazioni push-pull, in abbinamento al complementare 2SA1943-O. Con una frequenza di transizione di 30 MHz, bassa tensione di saturazione e ridotta capacità di uscita, assicura una risposta rapida e un’efficienza elevata.
Il contenitore TO-264 con ampia superficie di dissipazione lo rende adatto anche a condizioni di carico termico intenso.
Caratteristiche principali
Tipo: Transistor NPN al silicio a giunzione diffusa
Tensione collettore-emettitore (VCEO): 230 V min
Corrente di collettore (IC): 15 A
Potenza dissipabile (Pc): 150 W (Tc = 25°C)
Tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)): 0,4 V tipica (IC = 8 A, IB = 0,8 A)
Frequenza di transizione (fT): 30 MHz tipica (VCE = 5 V, IC = 1 A)
Corrente di interdizione collettore (ICBO): 5 μA max (VCB = 230 V, IE = 0 A, Ta = 25°C)
Corrente di interdizione emettitore (IEBO): 5 μA max (VEB = 5 V, IC = 0 A, Ta = 25°C)
Capacità di uscita collettore (Cob): 200 pF (VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz)
Temperatura di giunzione (Tj): 150 °C
Contenitore: TO-264
Classe di guadagno: "O"
La selezione classe "O" garantisce un guadagno coerente, ideale anche in configurazioni push-pull, in abbinamento al complementare 2SA1943-O. Con una frequenza di transizione di 30 MHz, bassa tensione di saturazione e ridotta capacità di uscita, assicura una risposta rapida e un’efficienza elevata.
Il contenitore TO-264 con ampia superficie di dissipazione lo rende adatto anche a condizioni di carico termico intenso.
Caratteristiche principali
Tipo: Transistor NPN al silicio a giunzione diffusa
Tensione collettore-emettitore (VCEO): 230 V min
Corrente di collettore (IC): 15 A
Potenza dissipabile (Pc): 150 W (Tc = 25°C)
Tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)): 0,4 V tipica (IC = 8 A, IB = 0,8 A)
Frequenza di transizione (fT): 30 MHz tipica (VCE = 5 V, IC = 1 A)
Corrente di interdizione collettore (ICBO): 5 μA max (VCB = 230 V, IE = 0 A, Ta = 25°C)
Corrente di interdizione emettitore (IEBO): 5 μA max (VEB = 5 V, IC = 0 A, Ta = 25°C)
Capacità di uscita collettore (Cob): 200 pF (VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz)
Temperatura di giunzione (Tj): 150 °C
Contenitore: TO-264
Classe di guadagno: "O"
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